2 结果与讨论
2.1 CuMo
薄膜成分、沉积率与 Mo 靶面积分数的关系表1 所列为不同Mo 靶面积比时CuMo薄膜的沉积参数、Mo 含量和膜厚。由表1 可看出，随Mo 靶面积比增加，薄 膜Mo含量渐增，沉 积率则从11.4 nm/min渐减至5.5 nm/min。当Mo 靶面积比小于16%时，薄膜 Mo 浓度缓慢增加，这是因为在相同 Ar + 入射能量下，Mo 溅射产额约比 Cu 的低 1.96 倍，铜择优溅射明显。但当 Mo 靶面积比增至 24%时，薄膜 Mo 含量迅速达到20.26%，这可能是因提高Mo 靶面积比须在溅射刻蚀区制备更多坑孔以供嵌入，坑孔的增多改变刻蚀区的结构几何，使成分自动补偿效应趋于明显。
