Cu-Ni-Si合金二次时效时的再结晶行为
张旦闻 赵冬梅 董企铭 刘 平 刘宏昭
( 1. 西安理工大学机械工程系， 西安 710049;
2. 河南科技大学 材料学院， 洛阳 471039)
摘 要: 利用透射电镜、 显微硬度法和电导率法，研究了Cu-Ni-Si二次时效过程中显微组织、硬度及导电率变化情况。 结果表明： 二次时效可使合金在较短的时效时间内获得更高的导电率， 经预时效后冷变形的合金， 溶质原子可借助密集且分布均匀的位错网络由铜基体快速传输至析出物处或析出物的形核部位完成析出过程，使铜基体得到快速的净化， 从而获得较高的导电性。 Cu-3.2Ni-0.75Si合金经预时效+变形后的时效过程中， 可发生原位再结晶和不连续再结晶两种形式的再结晶。再结晶的形式主要决定于预时效时析出相的大小和冷变形的程度， 稳定细小的析出相促使原位再结晶的发生， 原位再结晶使合金微观组织中析出相比较细小， 因而保持较高的硬度;亚稳的析出相在再结晶过程中将向稳定相转变， 相变动力与形变储存能共同作用促使合金发生不连续再结晶， 使合金硬度迅速下降， 析出相快速粗化。
