Sn/Cu接头界面金属间化合物层的生长及强磁场的影响
程从前 赵 杰 徐 洋 许富民 杨 朋
(1. 大连理工大学 三束材料改性国家重点实验室，大连 116024;2. 大连理工大学 材料科学与工程学院，大连 116024)
摘 要: 钎焊和扩散焊制备的Sn/Cu接头在无磁场下不同温度时效，研究接头界面处金属间化合物(IMC)层的生长行为。结果表明：两种接头界面IMC层在时效初始时刻的横截面和形貌均不同，在时效过程中的生长行为类似，钎焊和扩散焊接头界面IMC层的生长激活能分别为116和94 kJ/mol。为研究强磁场对界面IMC层生长行为的影响，两种试样在190 ℃、磁场强度为8 T时效。实验结果表明：两种接头界面IMC层的生长动力学相同，但晶粒形貌和晶体取向差别明显。
