半导体硅上激光诱导选择性电镀铜

半导体硅上激光诱导选择性电镀铜

　　摘要：在P型硅上利用氢离子激光进行了选择性电镀铜的研究，考察了半导体表面处理条件、阴极偏压和激光强度对阴极光电流及空间选择性的影响。表面氧化膜和阳极钝化膜的存在使光电流降低近一个数量级，少量氧化膜可使选择性提高。外加阴极偏压和激光强度的增加导致光电流增大，选择性降低。将氢氟酸处理的硅片在电解液中放置10~20min，于稳定电位附近，用较弱激光照射可获得选择性铜镀层。