W-Cu电子封装材料的气密性

W-Cu电子封装材料的气密性

摘 要: 分析了传统熔渗法生产的W-Cu材料气密性差的工艺因素，采用加入一定数量的诱导铜的工艺方法进行压型，通过调整成型压力，使生坯中的W含量达到电子封装W-Cu15含钨量的标准，其余的Cu在熔渗时渗入。实验表明，加入1%～2 .5%的诱导铜的生坯在1350℃熔渗1.5h，其气密性可以达到满意的效果。