CuZnAl记忆元件的“台阶”效应
谭树松 彭 坤 曾欲晓 谭立新 桂嘉年 王仁卉
(1. 中南大学 材料系， 长沙 410083;
2. 武汉大学 物理系， 武汉 430072)
摘 要: 研究了CuZnAl形状记忆合金在压应力作用下进行不完全相变热循环或在两相区时效时相变曲线出现的“台阶”现象。结果表明：外加载荷或延长两相区时效时间，均能促进“台阶”效应的发展。记忆元件一旦出现“台阶”效应，可在高于Af以上的适当温度保温一定时间来消除。“台阶”效应可用马氏体时效使马氏体稳定化，引起逆转变温度升高，及母相时效使母相有序度略有提高，使逆相变的相变温度降低来解释。
