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    Ti/Cu/Ti部分瞬间液相连接Si3N4的界面反应和连接强度

    放大字体  缩小字体 发布日期:2011-03-02
    铜之家讯:  用Ti/Cu/Ti多层中间层在1 273 K进行氮化硅陶瓷部分瞬间液相连接,实验考察了保温时间对连接强度的影响。用SEM EPMA和XRD对连接界面进行微观分析,并用扩散路径理论,研究了界面反应产物的形成过程。

    Ti/Cu/Ti部分瞬间液相连接Si3N4的界面反应和连接强度

      周飞 李志章

      (1. 江苏理工大学 材料系, 镇江 212013;

      2. 浙江大学 材料系, 杭州 310027)

      摘 要: 用Ti/Cu/Ti多层中间层在1 273 K进行氮化硅陶瓷部分瞬间液相连接,实验考察了保温时间对连接强度的影响。用SEM EPMA和XRD对连接界面进行微观分析,并用扩散路径理论,研究了界面反应产物的形成过程。结果表明:在连接过程中,Cu与Ti相互扩散,形成Ti活度较高的液相,并与氮化硅发生反应,在界面形成Si3N4/TiN/Ti5Si3+Ti5Si4+TiSi2/TiSi2+Cu3Ti2(Si)/Cu的梯度层。保温时间主要是通过影响接头反应层厚度和残余热应力大小而影响接头的连接强度。











     
     
     
     
     

     

     
     
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